تاثیر پارامترهای هندسی لایه دوم روی خواص ترابردی نانو نوار گرافینی

گرافین یک ماده با ساختار دو بعدی است که از آرایش اتم های کربن روی یک شبکه ی شش گوشی (لانه زنبوری) تشکیل شده است. خواص بسیار خوب گرافین مانند رسانش الکتریکی و هدایت گرمایی بالا‏، دلیلی شده است که آن را برای کاربرد های مختلف از جمله نانو سیم های حامل جریان در قطعات الکترونیک مورد بررسی قرار دهند. در ساخت بعضی از این قطعات لازم است تا چند لایه ی گرافین در روی هم قرار گیرند و این یکی از دلایلی شد که ما گرافین های چندلایه را مورد بررسی قرار دهیم. در گرافین های چند لایه، الکترون ها علاوه بر جهش به اتم های همسایه در یک صفحه می توانند به اتم های لایه های دیگر نیز جهش نمایند و این سبب تاثیر لایه های گرافینی بر روی خواص ترابردی یکدیگر می شود. از آنجا که با بررسی گرافین دولایه می توان در موارد زیادی به گرافین های با لایه های بیشتر تعمیم داد، بنابراین ما کار خود را به بررسی گرافین های دولایه معطوف کردیم. دراین پروژه ما بر آن شدیم که با در نظر گرفتن یک نانونوار گرافینی دولایه به همراه ‎4‎ رابط متصل به آن، رسانش هر رابط را به رابط های دیگر اندازه گرفته و سپس با چرخاندن و انتقال لایه ی دوم تغییرات رسانش ها را تحت زوایای مختلف چرخش و مقادیر مختلف انتقال بدست آوردیم. برای این کار ما با استفاده از زبان برنامه نویسی فرترن (fortran 95-2003) یک نانونوار گرافینی دو لایه با 4 رابط متصل به آن را شبیه سازی کردیم. برای بدست آوردن رسانش، ما از روش توابع گرین که منتهی به رابطه ی گاما-جی-گاما-جی ‎ می شود استفاده کردیم. در این روش ما هامیلتونی را با گسسته سازی و نوشتن صورت ماتریسی روش تنگ بست ‎بدست آوردیم و در نوشتن هامیلتونی، انرژی های جهش را تا همسایه های دوم در نظر گرفتیم.